??????? ????????
??????? ????????
??????? ????????
  КОРЗИНА - пусто
Поиск



Последние добавления

М.Е. Левин Игры XXII Олимпиады в филателии: Каталог-справоч ник. 1986

Ю.М. Климов Искусство на почтовых марках: Каталог-справоч ник. 1984

М. Левин Филателия о спартакиадах народов СССР. 1971

Астрономия в филателии: Каталог-справоч ник. 1979

Корнюхин А.Е. Под парусами филателии. 1975

Русско-немецкий разговорник, 1959

Англо-русский словарь по программировани ю и информатике (с толкованиями).1989

Городилин В. М. Регулировщик радиоаппаратуры . 1983

Иванов В. И. Полупроводников ые оптоэлектронные приборы: Справочник, 1984

Приемники телевизионные «РЕКОРД ВЦ-381». 1996

Лента новостей

В Крыму три человека пострадали от нападения волка

Есть ли у Донбасса шанс войти в состав России?

Число стариков в России уже превышает число маленьких детей

В России со следующего года начнет сокращаться число чиновников

Палестина попросила российский МИД повлиять на Израиль

По итогам 2019 года число россиян сократится на 284 800 человек

Россияне находят способы проголосовать против власти

На российский рынок вышел американский производитель растительного мяса на основе горохового белка

Если у человека не та группа крови, то ему суждено быть неудачником

Развал Незалежной неминуем

<<<Все новости>>>

Популярные книги

Ляпунов Б. В. Ракета

Гагман Н. А. Фотографирование произведений искусства

Козловский Я.А. Избранное

Историки спорят. 13 бесед

Авдеев М. В. У самого черного моря. Книга 2. 1969


Физико-топологическое моделирование структур элементов БИС

 Книга: Физико-топологическое моделирование структур элементов БИС
 Просмотреть в оригинальном размере
 
Цена: 331.00 руб.

Количество:   

  Обсудить на форуме
  Добавить отзыв к данному товару
  Рекомендовать товар другу


Автоматизация проектирования БИС. кн.: Практ. пособие. Кн. 5. В. Я. Кремлев. Физико-топологическое моделирование структур элементов БИС/Под. ред. Г. Г. Казеннова. — М: Высш. шк., 1990.—144 с: ил.


В пособии рассматриваются основные подходы к проектированию элементов БИС и их физико-топологические и схемотехнические модели. В качестве основной физической модели применяются диффузионно-дрейфовые уравнения, на основе которых синтезируются электрические эквивалентные схемы. Описываются численные методы и алгоритмы расчета, используемые в САПР элементов БИС. Приводятся основные сведения по постановке и решению задач проектирования элементов БИС с использованием численных экспериментов на ЭВМ. Физико-топологическое моделирование структур элементов БИС является неотъемлемой составной частью современных САПР БИС. На этапе проектирования моделирование элементной базы позволяет решить вопросы, связанные с оптимизацией структурных и топологических решений интегральных структур элементов БИС для достижения максимальной плотности компоновки, максимального быстродействия и минимальной потребляемой мощности. Методы анализа и соответствующее прикладное математическое обеспечение являются основным инструментом разработчика современных БИС и СБИС. Физико-топологическое моделирование основано на использовании математических моделей, численных методов решения дифференциальных уравнений с учетом результатов расчета и экспериментальных данных.
Физико-математическую основу моделирования интегральных компонентов составляют фундаментальные уравнения переноса электронов и дырок в полупроводниках. Непосредственно эти уравнения ввиду чрезвычайной сложности и громоздкости их численного интегрирования имеют ограниченное применение. Это делает невозможным решение задачи проектирования интегральных элементов на единой модельной и алгоритмической основе и приводит к необходимости ее разделения на более простые задачи.
В настоящее время в практике проектирования используется большое число простых и экономичных моделей, эффективных для определенных типов элементов, а также для конкретных этапов их проектирования. Эти модели отличаются принятыми допущениями, размерностью, системами независимых переменных, видами краевых задач и алгоритмами их решения.
Для эксплуатации программ и интерпретации полученных результатов необходимо прежде всего понимание используемых моделей, поэтому в данном учебном пособии значительное внимание уделяется выводу основных модельных уравнений.
Принятая последовательность изложения позволяет овладеть основами физико-топологического моделирования, а не просто дает определенную сумму знаний. Согласно общепринятой методологии подсистема проектирования элементов занимает нижний уровень иерархической САПР БИС. Этот уровень иерархии покрывает задачи проектирования новой элементной базы, включая разработку приборов с учетом новых физических принципов и конструктивно-топологических вариантов элементов БИСВ связи с постоянной разработкой новой элементной базы БИС необходимы методы моделирования, позволяющие посредством численных экспериментов на ЭВМ устаналивать количественные зависимости между электрофизическими, топологическими параметрами интегральных структур и множеством их эксплуатационных параметров с учетом сложных взаимодействий в конкретных БИС. При этом решаются основные задачи: 1) исследование физических процессов в технологических установках; 2) исследование физических процессов в объеме и на поверхности интегральных структур при внешних воздействиях; 3) исследование электрических взаимодействий полупроводниковых приборов в составе БИС.
Моделирование физических процессов в технологических установках позволяет получить, в частности, количественные характеристики полупроводниковых интегральных структур. К таким характеристикам прежде всего относятся распределение концентраций легирующих примесей в эпитаксиальных, ионно-легированных и диффузионных слоях, толщины таких слоев и другие электрофизические параметры. Они являются исходными данными для проектирования элементов БИС.
Следует отметить, что моделирование технологических процессов является важным, но не единственным источником данных, которые используются на следующем этапе проектирования.





Последнее обновление: Вторник, 18 Сентября 2018 года.



Ваш путь по магазину:
Главная страница магазина Радиотехника и радиотехнические устройства Физико-топологическое моделирование структур элементов БИС


Вы смотрите книгу: Физико-топологическое моделирование структур элементов БИС.

Rambler's Top100 Яндекс.Метрика