??????? ????????
??????? ????????
??????? ????????
  КОРЗИНА - пусто
Поиск



Последние добавления

М.Е. Левин Игры XXII Олимпиады в филателии: Каталог-справоч ник. 1986

Ю.М. Климов Искусство на почтовых марках: Каталог-справоч ник. 1984

М. Левин Филателия о спартакиадах народов СССР. 1971

Астрономия в филателии: Каталог-справоч ник. 1979

Корнюхин А.Е. Под парусами филателии. 1975

Русско-немецкий разговорник, 1959

Англо-русский словарь по программировани ю и информатике (с толкованиями).1989

Городилин В. М. Регулировщик радиоаппаратуры . 1983

Иванов В. И. Полупроводников ые оптоэлектронные приборы: Справочник, 1984

Приемники телевизионные «РЕКОРД ВЦ-381». 1996

Лента новостей

В пятницу в США фьючерсы на живой скот и скот на откорме подешевели до самых низких цен

Греф считает российскую валюту стабильной, поэтому призывает все сбережения хранить в рублях

Население России в 2019 году сократилось на 35,6 тыс. человек

Страны одна за другой закрывают границы от приезжих из КНР

В Поднебесной создают иллюзию борьбы с вирусом с помощью россиян

Этот год начался с весьма трагичного для Ирана события

За последнее время вопрос введения прогрессивной шкалы подоходного налога поднимался не раз

Террористы по указу США перекрыли гуманитарные коридоры в Сирии

Знак и Дождь относятся к вражеским русофобским СМИ

В Незалежной осознали, к чему ведет зависимость от Запада

<<<Все новости>>>

Популярные книги

Телевизор первого класса «Горизонт-107»

Курс физики. Для средних специальных заведений. Часть первая

Справочник по ионным приборам. Гурлев Д.С. 1970

Хрестоматия по обществоведению

Справочник кинолюбителя


Физико-топологическое моделирование структур элементов БИС

 Книга: Физико-топологическое моделирование структур элементов БИС
 Просмотреть в оригинальном размере
 
Цена: 331.00 руб.

Количество:   

  Обсудить на форуме
  Добавить отзыв к данному товару
  Рекомендовать товар другу


Автоматизация проектирования БИС. кн.: Практ. пособие. Кн. 5. В. Я. Кремлев. Физико-топологическое моделирование структур элементов БИС/Под. ред. Г. Г. Казеннова. — М: Высш. шк., 1990.—144 с: ил.


В пособии рассматриваются основные подходы к проектированию элементов БИС и их физико-топологические и схемотехнические модели. В качестве основной физической модели применяются диффузионно-дрейфовые уравнения, на основе которых синтезируются электрические эквивалентные схемы. Описываются численные методы и алгоритмы расчета, используемые в САПР элементов БИС. Приводятся основные сведения по постановке и решению задач проектирования элементов БИС с использованием численных экспериментов на ЭВМ. Физико-топологическое моделирование структур элементов БИС является неотъемлемой составной частью современных САПР БИС. На этапе проектирования моделирование элементной базы позволяет решить вопросы, связанные с оптимизацией структурных и топологических решений интегральных структур элементов БИС для достижения максимальной плотности компоновки, максимального быстродействия и минимальной потребляемой мощности. Методы анализа и соответствующее прикладное математическое обеспечение являются основным инструментом разработчика современных БИС и СБИС. Физико-топологическое моделирование основано на использовании математических моделей, численных методов решения дифференциальных уравнений с учетом результатов расчета и экспериментальных данных.
Физико-математическую основу моделирования интегральных компонентов составляют фундаментальные уравнения переноса электронов и дырок в полупроводниках. Непосредственно эти уравнения ввиду чрезвычайной сложности и громоздкости их численного интегрирования имеют ограниченное применение. Это делает невозможным решение задачи проектирования интегральных элементов на единой модельной и алгоритмической основе и приводит к необходимости ее разделения на более простые задачи.
В настоящее время в практике проектирования используется большое число простых и экономичных моделей, эффективных для определенных типов элементов, а также для конкретных этапов их проектирования. Эти модели отличаются принятыми допущениями, размерностью, системами независимых переменных, видами краевых задач и алгоритмами их решения.
Для эксплуатации программ и интерпретации полученных результатов необходимо прежде всего понимание используемых моделей, поэтому в данном учебном пособии значительное внимание уделяется выводу основных модельных уравнений.
Принятая последовательность изложения позволяет овладеть основами физико-топологического моделирования, а не просто дает определенную сумму знаний. Согласно общепринятой методологии подсистема проектирования элементов занимает нижний уровень иерархической САПР БИС. Этот уровень иерархии покрывает задачи проектирования новой элементной базы, включая разработку приборов с учетом новых физических принципов и конструктивно-топологических вариантов элементов БИСВ связи с постоянной разработкой новой элементной базы БИС необходимы методы моделирования, позволяющие посредством численных экспериментов на ЭВМ устаналивать количественные зависимости между электрофизическими, топологическими параметрами интегральных структур и множеством их эксплуатационных параметров с учетом сложных взаимодействий в конкретных БИС. При этом решаются основные задачи: 1) исследование физических процессов в технологических установках; 2) исследование физических процессов в объеме и на поверхности интегральных структур при внешних воздействиях; 3) исследование электрических взаимодействий полупроводниковых приборов в составе БИС.
Моделирование физических процессов в технологических установках позволяет получить, в частности, количественные характеристики полупроводниковых интегральных структур. К таким характеристикам прежде всего относятся распределение концентраций легирующих примесей в эпитаксиальных, ионно-легированных и диффузионных слоях, толщины таких слоев и другие электрофизические параметры. Они являются исходными данными для проектирования элементов БИС.
Следует отметить, что моделирование технологических процессов является важным, но не единственным источником данных, которые используются на следующем этапе проектирования.





Последнее обновление: Вторник, 18 Сентября 2018 года.



Ваш путь по магазину:
Главная страница магазина Радиотехника и радиотехнические устройства Физико-топологическое моделирование структур элементов БИС


Вы смотрите книгу: Физико-топологическое моделирование структур элементов БИС.

Rambler's Top100 Яндекс.Метрика